Pat
J-GLOBAL ID：201203035702915812

半導体素子、半導体装置及び半導体素子の作製方法

Inventor：
佐藤 岳尚

About 佐藤 岳尚


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010204926
Publication number (International publication number)：2012060091
Application date： Sep. 13, 2010
Publication date： Mar. 22, 2012
Summary：
【課題】半導体領域に酸化物半導体を用いた、高耐圧で、大電流の制御が可能であり、かつ量産性に優れた半導体素子を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】半導体領域に酸化物半導体を用いたトランジスタと、トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層の各々と電気的に接続した貫通電極を備えた半導体チップを積層し、トランジスタを電気的に並列接続することによって、実質的にW長の長い半導体素子を提供する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体層に酸化物半導体を用いる第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層とそれぞれ電気的に接続する3つの貫通電極と、を有する第1の基板と、 半導体層に酸化物半導体を用いる第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層とそれぞれ電気的に接続する3つの貫通電極と、を有する第2の基板と、を積層して備え、 前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは、それぞれの貫通電極を介して電気的に並列接続された半導体素子。
IPC (13)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/00 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (10)：
H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627D ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/00 301B ,  H01L27/04 E ,  H01L21/88 J ,  H01L25/08 B
F-Term (133)：
5F033GG01 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033MM30 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR03 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F033VV15 ,  5F038BE07 ,  5F038BG03 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB01 ,  5F048BC16 ,  5F048BD01 ,  5F048BF01 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA11 ,  5F110BB11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD30 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL02 ,  5F110HL06 ,  5F110HL22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM