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J-GLOBAL ID：201203036183448922

半導体素子を有する半導体装置

Inventor： 橘 武史 ,  後藤 裕史 ,  奥野 博行 ,  前田 剛彰
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (5)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  竹岡 明美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010150214
Publication number (International publication number)：2012015313
Application date： Jun. 30, 2010
Publication date： Jan. 19, 2012
Summary：

【課題】半導体素子間や半導体素子と回路基板との間で生じる熱膨張による歪応力を緩和して高い信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】電極3を有する半導体素子2と、回路基板1とが、接合部材を介して接合された構成を1以上含む半導体装置であって、前記接合部材は、Al合金層5と純Al層6との積層構造からなり、前記Al合金層は、前記半導体素子の電極側に配置され、前記純Al層は、前記回路基板側に配置されていることに要旨を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電極を有する半導体素子と、回路基板とが、接合部材を介して接合された構成を1以上含む半導体装置であって、 前記接合部材は、Al合金層と純Al層との積層構造からなり、 前記Al合金層は、前記半導体素子の電極側に配置され、 前記純Al層は、前記回路基板側に配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L 21/52

FI (1)：

H01L21/52 B

F-Term (6)：

5F047AA17 ,  5F047BA16 ,  5F047BA52 ,  5F047BB16 ,  5F047BB18 ,  5F047CA08