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J-GLOBAL ID:201203036311734887

単層カーボンナノチューブの結晶作製方法、単層カーボンナノチューブ結晶及び単層カーボンナノチューブ結晶を用いた電子デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 鐘尾 宏紀 ,  松本 征二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011282196
Publication number (International publication number):2012144426
Application date: Dec. 22, 2011
Publication date: Aug. 02, 2012
Summary:
【課題】高純度で、且つ電子デバイスに応用できる大きさのSWCNTの結晶作製方法を提供し、該方法により作製されたSWCNT結晶、並びに該SWCNT結晶を用いた電子デバイスを提供する。【解決手段】溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。
IPC (2):
C01B 31/02 ,  H01L 29/06
FI (2):
C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N
F-Term (13):
4G146AA12 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AD30 ,  4G146CA11 ,  4G146CA16 ,  4G146CB01 ,  4G146CB10 ,  4G146CB17 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  4G146CB36 ,  4G146CB40
Article cited by the Patent:
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