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J-GLOBAL ID:201203036311734887
単層カーボンナノチューブの結晶作製方法、単層カーボンナノチューブ結晶及び単層カーボンナノチューブ結晶を用いた電子デバイス
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (2):
鐘尾 宏紀
, 松本 征二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011282196
Publication number (International publication number):2012144426
Application date: Dec. 22, 2011
Publication date: Aug. 02, 2012
Summary:
【課題】高純度で、且つ電子デバイスに応用できる大きさのSWCNTの結晶作製方法を提供し、該方法により作製されたSWCNT結晶、並びに該SWCNT結晶を用いた電子デバイスを提供する。【解決手段】溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。
IPC (2):
FI (2):
C01B31/02 101F
, H01L29/06 601N
F-Term (13):
4G146AA12
, 4G146AB07
, 4G146AC01B
, 4G146AD30
, 4G146CA11
, 4G146CA16
, 4G146CB01
, 4G146CB10
, 4G146CB17
, 4G146CB34
, 4G146CB35
, 4G146CB36
, 4G146CB40
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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