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J-GLOBAL ID:201203036353407800

紫外線半導体発光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也 ,  音野 太陽
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010197651
Publication number (International publication number):2012054492
Application date: Sep. 03, 2010
Publication date: Mar. 15, 2012
Summary:
【課題】紫外線の発光波長帯域において発光するチップを用いることで、広範な波長帯域で好適な紫外線硬化樹脂の最適な硬化条件が得られる紫外線半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光波長帯域が異なる3種の紫外線半導体発光チップ21を、紫外線半導体発光チップ群A、B、Cとして単一のパッケージ内に備えた。各紫外線半導体発光チップ群の発光波長帯域の一部を重複させており、各紫外線半導体発光チップ群に含まれる紫外線半導体発光チップ21の発光の制御を可能にするように各紫外線半導体発光チップ群に独立して電流を供給する主リード28a、28b、28cを備えた。【選択図】図7
Claim (excerpt):
電流を流すことにより紫外線の発光波長帯域の所定の発光波長で発光する半導体発光チップを複数個配置して構成される紫外線半導体発光素子であって、 前記半導体発光チップを複数個配置したパッケージを備え、 前記パッケージには、異なるピーク波長を有し、発光波長帯域の一部が互いに重複する複数個の前記半導体発光チップを配置しており、 前記半導体発光チップは、前記発光波長帯域内で所定の発光強度分布を形成し、前記重複する発光波長帯域において前記発光強度分布の交点での発光波長における発光量が、所定の基準値の2分の1より大きく、前記所定の基準値を超えないことを特徴とする紫外線半導体発光素子。
IPC (1):
H01L 33/48
FI (1):
H01L33/00 400
F-Term (9):
5F041AA05 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA61 ,  5F041DA72 ,  5F041DA76 ,  5F041DA82 ,  5F041FF16

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