半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010200079
Publication number (International publication number)：2012059833
Application date： Sep. 07, 2010
Publication date： Mar. 22, 2012
Summary：

【課題】低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、前記処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、前記基板の表面に形成された前記金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を前記処理容器内から搬出する工程と、を有し、前記処理を行う工程では、前記酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、前記所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、前記酸化源に含まれる酸素原子を、前記金属膜の表面に導入することで、前記金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/316 , H01L 21/28 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/31 , C23C 16/56

FI (6)：

H01L21/316 X , H01L21/28 B , H01L27/10 651 , H01L21/31 B , H01L21/31 C , C23C16/56

F-Term (68)：

4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030AA24 , 4K030BA10 , 4K030BA42 , 4K030CA01 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC00 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104GG16 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF10 , 5F045AF16 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DC63 , 5F045DP03 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045DQ10 , 5F045EE06 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EH12 , 5F045EK06 , 5F045EK07 , 5F045EM10 , 5F045HA15 , 5F045HA16 , 5F045HA20 , 5F058BA20 , 5F058BB05 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF06 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ01 , 5F083AD11 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR12

Return to Previous Page