超伝導集積回路を製造するためのシステムおよび方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：稲葉良幸 , 大貫敏史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011552154
Publication number (International publication number)：2012519379
Application date： Feb. 25, 2010
Publication date： Aug. 23, 2012
Summary：

様々な技法および装置が、例えば量子コンピュータで有用となることがある超伝導回路および構造、例えばジョセフソン接合の製造を可能にする。例えば、超伝導することができる2つの要素または層の間に誘電体構造または層が挿間された、低い磁束ノイズの三層構造を製造することができる。超伝導バイアが、ジョセフソン接合の上に直接位置することがある。平坦化された誘電体層上に構造、例えばジョセフソン接合を担持することができる。構造から熱を除去するためにフィンを採用することができる。超伝導することができるバイアは、約1マイクロメートル未満の幅を有することができる。構造は、例えばバイアおよび/またはストラップコネクタによって抵抗器に結合することができる。

Claim (excerpt)：

第1の臨界温度以下で超伝導する第1の材料から形成される第1の電極、前記第1の臨界温度以下で超伝導する前記第1の材料から形成される第2の電極、および前記第1の電極を前記第2の電極から離隔するために前記第1の電極と前記第2の電極の間に挿間される電気絶縁層を有するジョセフソン接合と、第2の臨界温度以下で超伝導する第2の材料から構成される第1の超伝導電流経路とを備える超伝導回路であって、前記第2の材料が約1.0未満の磁束ノイズ係数を有し、前記第1の超伝導電流経路が前記第1の電極に結合され、超伝導回路がさらに、臨界温度以下で超伝導する材料から構成される第2の超伝導電流経路を備え、前記材料が、約1.0未満の磁束ノイズ係数を有し、第2の超伝導電流経路が前記第2の電極に結合される超伝導回路。

IPC (2)：

H01L 39/22 , H01L 39/24

FI (2)：

H01L39/22 A , H01L39/24 J

F-Term (13)：

4M113AA04 , 4M113AA14 , 4M113AA25 , 4M113AC06 , 4M113AC45 , 4M113AD21 , 4M113AD36 , 4M113AD51 , 4M113BC04 , 4M113BC26 , 4M113CA12 , 4M113CA13 , 4M113CA42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-005873
電流注入型ジョゼフソン論理ゲートとその集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071142 Applicant：工業技術院長
電子デバイスとその多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-187582 Applicant：株式会社日立製作所, 日本電気株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター

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