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J-GLOBAL ID：201203040354490652

マイクロプラズマ法による薄膜作製方法及びその装置

Inventor： 清水 禎樹 ,  佐々木 毅 ,  マリオッティ ダビデ ,  桐原 和大 ,  寺嶋 和夫 ,  越崎 直人
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 小越 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012107298
Publication number (International publication number)：2012211391
Application date： May. 09, 2012
Publication date： Nov. 01, 2012
Summary：

【課題】金属および金属化合物のターゲットを主原料とすることで、有機金属ガス等の有害なガスを使用する必要がなくなり、大気圧プラズマを反応場として利用すると共に、熱源としても利用することで高融点材であるシリコンやセラミックス等の基板上へ密着性の良好な金属またはその酸化物若しくは窒化物等の金属化合物薄膜の形成方法及びその形成装置を提供する。【解決手段】マイクロプラズマ法による薄膜作製方法において、全体に亘って内径が均一である細管1内に薄膜形成用の原料ワイヤー3を設置し、細管1に不活性ガスを導入すると共に高周波電圧を印加して細管1内部に高周波プラズマを発生させ、1又は複数の細管1内部のプラズマガスの流速及びプラズマガス温度を高温に維持しながら原料を加熱・蒸発させ、蒸発した材料を細管1から噴出させて基板上に照射し、プラズマガスにより基板を加熱すると共に、照射した材料を大気圧下で基板上に堆積させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

マイクロプラズマ法による薄膜作製方法において、全体に亘って内径が均一である1又は複数の細管A内に薄膜形成用の原料を設置し、該細管Aに不活性ガスを導入すると共に高周波電圧を印加して細管A内部に高周波プラズマを発生させ、細管A内部のプラズマガスの流速及び高温のプラズマガス温度を高温に維持しながら前記原料を加熱・蒸発させ、蒸発した材料を細管Aから噴出させて基板上に照射し、前記プラズマガスにより基板を加熱すると共に、照射した材料を大気圧下で基板上に堆積させることを特徴とするマイクロプラズマ法による薄膜作製方法。

IPC (6)：

C23C 16/513 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/24

FI (6)：

C23C16/513 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 P ,  H05H1/24

F-Term (19)：

4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA42 ,  4K030BB03 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA04 ,  4K030JA09 ,  4K030KA30 ,  4M104BB06 ,  4M104BB16 ,  4M104BB37 ,  4M104DD34 ,  4M104EE16 ,  4M104FF11 ,  4M104GG00 ,  4M104HH08