半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、並びに分散体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 出野知 , 蛯谷厚志 , 関根宣夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011269017
Publication number (International publication number)：2012178546
Application date： Dec. 08, 2011
Publication date： Sep. 13, 2012
Summary：

【課題】半導体デバイスの製造方法を提供する。また、この方法を用いて得ることができる半導体デバイス、及びこの方法で用いることができる分散体を提供する。【解決手段】半導体デバイス(500a)を製造する本発明の方法は、下記の工程(a)〜(c)を含み、かつ第1のドーパント注入層(52)の結晶方位が、半導体元素からなる半導体層又は基材(10)の結晶方位と同じである:(a)層又は基材の特定の箇所に、ドープされている粒子を含有する分散体を適用すること、(b)適用した分散体を乾燥して、未焼結ドーパント注入層とすること、及び(c)未焼結ドーパント注入層に光照射を行うことによって、層又は基材の特定の箇所を、p型又はn型ドーパントによってドープすると共に、未焼結ドーパント注入層を焼結させて、層又は基材と一体化したドーパント注入層とすること。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体元素からなる半導体層又は基材、及び前記半導体層又は基材上の第1のドーパント注入層を有する、半導体デバイスの製造方法であって、下記の工程(a)〜(c)を含み、かつ第1のドーパント注入層の結晶方位が、前記半導体層又は基材の結晶方位と同じ、かつ/又は前記ドーパントの濃度が、前記第1のドーパント注入層の表面から0.1μmの深さにおいて1×1020atoms/cm3以上であり、かつ前記第1のドーパント注入層の表面から0.3μmの深さにおいて、0.1μmの深さの1/10以下である、半導体デバイスの製造方法: (a)前記半導体層又は基材の第1の箇所に、第1の粒子を含有する第1の分散体を適用すること、ここで、前記第1の粒子は、前記半導体層又は基材と同一の元素から本質的になり、かつp型又はn型ドーパントによってドープされている、 (b)適用した前記第1の分散体を乾燥して、第1の未焼結ドーパント注入層とすること、及び (c)前記第1の未焼結ドーパント注入層に光照射を行うことによって、前記半導体層又は基材の前記第1の箇所を、前記p型又はn型ドーパントによってドープすると共に、前記第1の未焼結ドーパント注入層を焼結させて、前記半導体層又は基材と一体化した第1のドーパント注入層とすること。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 L

F-Term (9)：

5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151CB13 , 5F151CB18 , 5F151DA03 , 5F151DA10 , 5F151FA06 , 5F151FA10 , 5F151GA04

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