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J-GLOBAL ID：201203043764462604
光起電力素子、及び当該光起電力素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
渡辺 喜平
, 田中 有子
, 佐藤 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011067958
Publication number (International publication number)：2012204617
Application date： Mar. 25, 2011
Publication date： Oct. 22, 2012
Summary：
【課題】高いエネルギー変換効率を有する光起電力素子及び当該光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板、裏面電極層、カルコパイライト構造を有する化合物からなるp型半導体光吸収層、前記p型半導体光吸収層とpn接合を形成可能な透明n型バッファ層、及びIn2O3及びZnO、並びにAl、Ga、B、Zr、Hf及びTiからなる群から選択される1以上の元素の酸化物を含む酸化物薄膜であって、特定の原子比を満たす酸化物膜である透明電極層をこの順に備え、前記p型半導体光吸収層及び透明n型バッファ層を貫通し、前記裏面電極層の一部を露出させる溝を有し、前記透明電極層が前記溝を充填して裏面電極層と接する光起電力素子。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
ガラス基板、
裏面電極層、
カルコパイライト構造を有する化合物からなるp型半導体光吸収層、
前記p型半導体光吸収層とpn接合を形成可能な透明n型バッファ層、及び
In2O3及びZnO、並びにAl、Ga、B、Zr、Hf及びTiからなる群から選択される1以上の元素の酸化物を含む酸化物薄膜であって、下記原子比(1)及び(2)を満たす酸化物薄膜である透明電極層をこの順に備え、
前記p型半導体光吸収層及び透明n型バッファ層を貫通し、前記裏面電極層の一部を露出させる溝を有し、前記透明電極層が前記溝を充填して裏面電極層と接する光起電力素子。
In/(In+Zn)=0.5〜0.9 (1)
X/(In+Zn+X)=0.0015〜0.03 (2)
(式中、XはAl、Ga、B、Zr、Hf及びTiの合計の原子数である。)
IPC (1)：
FI (2)：
H01L31/04 F
, H01L31/04 E
5F151AA10
, 5F151CB15
, 5F151DA03
, 5F151DA20
, 5F151EA03
, 5F151EA16
, 5F151FA02
, 5F151FA06
, 5F151GA03
, 5F151HA03
