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J-GLOBAL ID：201203043903588642

浄水処理方法及び浄水処理装置

Inventor：
鹿島田 浩二

About 鹿島田 浩二

, 
山本 崇史

About 山本 崇史

, 
貝谷 吉英

About 貝谷 吉英


Applicant, Patent owner：
水ing株式会社

About 水ing株式会社


Agent (3)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011092918
Publication number (International publication number)：2012223697
Application date： Apr. 19, 2011
Publication date： Nov. 15, 2012
Summary：
【課題】処理水の回収率を高く維持しながら膜面へのケーキの付着を防止し、かつ低動力で効率的な運転が可能な浄水処理方法及びその方法に用いられる装置を提供すること。【解決手段】槽内の固形物含有水の固形物濃度が、限界固形物濃度(Ct)として、0.1Ct〜Ct、又は該固形物濃度が3000〜30000mg/Lとなるまで該固形物含有水の膜ろ過を実施する膜ろ過工程、前記膜ろ過工程後に該槽内の固形物含有水の全量又は一部を排水する排水工程、前記排水工程後に該槽内に原水を供給するとともに固形物含有水中の粉末活性炭濃度が50mg/L以上の目標値となるように制御する充水工程を含む、浄水処理方法。槽、膜エレメント及び集水部を有し槽内に浸漬される膜モジュール、及び槽下部に設置された散気装置を有する膜ろ過装置、及び粉末活性炭注入装置を含む、上記の浄水処理方法を実施するための浄水処理装置。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
槽内の固形物含有水の固形物濃度が、限界固形物濃度(Ct)として、0.1Ct〜Ctとなるまで該固形物含有水の膜ろ過を実施するとともに定期的な洗浄の実施を含む膜ろ過工程、前記膜ろ過工程後に該槽内の固形物含有水の全量又は一部を排水する排水工程、前記排水工程後に該槽内に原水を供給するとともに固形物含有水中の粉末活性炭濃度が50mg/L以上の目標値となるように制御する充水工程を含む、浄水処理方法。
IPC (4)：
C02F 1/44 ,  B01D 61/22 ,  B01D 65/02 ,  C02F 1/28
FI (5)：
C02F1/44 D ,  C02F1/44 A ,  B01D61/22 ,  B01D65/02 520 ,  C02F1/28 D
F-Term (36)：
4D006GA06 ,  4D006GA07 ,  4D006HA01 ,  4D006HA93 ,  4D006KA01 ,  4D006KA03 ,  4D006KA31 ,  4D006KA33 ,  4D006KA43 ,  4D006KA62 ,  4D006KB12 ,  4D006KB13 ,  4D006KB30 ,  4D006KC02 ,  4D006KC14 ,  4D006KD08 ,  4D006KD09 ,  4D006KD11 ,  4D006KD17 ,  4D006KD19 ,  4D006KE14P ,  4D006KE14Q ,  4D006KE14R ,  4D006KE22Q ,  4D006MA01 ,  4D006PA01 ,  4D006PB04 ,  4D624AA05 ,  4D624AB04 ,  4D624BA02 ,  4D624BB01 ,  4D624BC04 ,  4D624DA03 ,  4D624DB05 ,  4D624DB20 ,  4D624DB21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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