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J-GLOBAL ID：201203044525618100

パイ接合SQUID、及び超伝導接合構造の製造方法

Inventor： 前野 悦輝 ,  寺嶋 孝仁 ,  中村 壮智 ,  中川 竜司
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学
Agent (1)： 特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2010053310
Publication number (International publication number)：WO2010140400
Application date： Mar. 02, 2010
Publication date： Dec. 09, 2010
Summary：

スピン三重項超伝導体とスピン一重項超伝導体とを用いた新方式のパイ接合を有するパイ接合SQUIDを提供する。[スピン一重項超伝導体/スピン三重項超伝導体/スピン一重項超伝導体]のパイ接合を有する超伝導ループからなるパイ接合SQUIDである。このパイ接合SQUIDは、スピン三重項超伝導体の単結晶を用いた基板2と、当該基板の表面に形成されたスピン一重項超伝導体のループ層31と、を有して形成されている。

Claim (excerpt)：

超伝導接合を有する超伝導ループによって構成されたSQUIDであって、 前記超伝導接合が、[スピン一重項超伝導体/スピン三重項超伝導体/スピン一重項超伝導体]のパイ接合であることを特徴とするパイ接合SQUID。

IPC (1)：

H01L 39/22

FI (1)：

H01L39/22 D

F-Term (8)：

4M113AA51 ,  4M113AA54 ,  4M113AC06 ,  4M113BC08 ,  4M113CA13 ,  4M113CA14 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34