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J-GLOBAL ID：201203045768125079

パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料

Inventor： 服部 繁樹 ,  浅川 鋼児 ,  中村 裕子 ,  北川 良太 ,  清野 由里子 ,  菅野 正洋 ,  比嘉 百夏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (10)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  箱崎 幸雄 ,  出口 智也 ,  山ノ井 傑 ,  木本 大介 ,  重野 隆之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010169279
Publication number (International publication number)：2012033534
Application date： Jul. 28, 2010
Publication date： Feb. 16, 2012
Summary：

【課題】ポリマーアロイに配向性の高い相分離構造のパターンを短時間で形成することのできるパターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料を提供する。【解決手段】基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、を含むパターン形成方法を提供する。【選択図】図1B

Claim (excerpt)：

基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、 エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、 相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、 を含むパターン形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/027 ,  B82B 3/00 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/42 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/312

FI (6)：

H01L21/30 502D ,  B82B3/00 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/42 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/312 M

F-Term (15)：

2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA19 ,  5F046AA28 ,  5F058AA10 ,  5F058AD08 ,  5F058AD09 ,  5F058AE04 ,  5F058AE10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG03 ,  5F058AG09 ,  5F146AA28