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J-GLOBAL ID：201203049443991573

光電変換装置

Inventor： 浅見 良信 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012056123
Publication number (International publication number)：2012209549
Application date： Mar. 13, 2012
Publication date： Oct. 25, 2012
Summary：

【課題】開放電圧が高く、変換効率の高い光電変換装置を提供する。【解決手段】一対の電極間に、p型の導電型を有する第1の半導体層と、p型の導電型を有する第2の半導体層と、n型の導電型を有する第3の半導体層を積層し、pn接合を有する光電変換装置を形成する。第1の半導体層は化合物半導体層であり、第2の半導体層は有機化合物及び無機化合物からなり、該有機化合物には正孔輸送性の高い材料が用いられ、該無機化合物には、電子受容性を有する遷移金属酸化物が用いられる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一対の電極間に、 p型の導電型を有する第1の半導体層と、 p型の導電型を有し、前記第1の半導体層と接する第2の半導体層と、 n型の導電型を有し、前記第2の半導体層と接する第3の半導体層と、 前記第3の半導体層と接する透光性導電膜と、 を有し、 前記第2の半導体層は、有機化合物及び無機化合物で形成されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (16)：

5F151AA07 ,  5F151AA09 ,  5F151AA10 ,  5F151AA11 ,  5F151CB14 ,  5F151DA03 ,  5F151DA11 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA19 ,  5F151GA03 ,  5F151GA14 ,  5F151HA03