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J-GLOBAL ID：201203049718008700

窒化物半導体レーザ素子、光源装置および窒化物半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： 津田 有三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 特許業務法人深見特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011093765
Publication number (International publication number)：2012227361
Application date： Apr. 20, 2011
Publication date： Nov. 15, 2012
Summary：

【課題】半極性面を主面とするGaN基板を用いた場合でも容易に作製することができ、かつ低閾値電流となる窒化物半導体レーザ素子、それを用いた光源装置およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】{20-21}面を第1の主面とする窒化ガリウム基板と、窒化ガリウム基板の第1の主面に接して設けられた窒化物半導体厚膜と、窒化物半導体厚膜上に設けられた窒化物半導体レーザ素子層とを備え、窒化物半導体厚膜は、窒化物半導体厚膜の主面である{20-21}面と89.95°以上90.05°以下の角度を為す範囲内に{-1017}面を有する窒化物半導体レーザ素子、それを用いた光源装置およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

{20-21}面を第1の主面とする窒化ガリウム基板と、 前記窒化ガリウム基板の前記第1の主面に接して設けられた窒化物半導体厚膜と、 前記窒化物半導体厚膜上に設けられた窒化物半導体レーザ素子層とを備え、 前記窒化物半導体レーザ素子層は、n型窒化物半導体層と、窒化物半導体からなる発光層と、p型窒化物半導体層とを含み、 前記窒化物半導体厚膜は、前記窒化物半導体厚膜の主面である{20-21}面と89.95°以上90.05°以下の角度を為す範囲内に{-1017}面を有する、窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343 610

F-Term (7)：

5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP24 ,  5F173AP83 ,  5F173AR23 ,  5F173AR92