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J-GLOBAL ID:201203058689238822
半導体装置の製造方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
北野 好人
, 三村 治彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011289138
Publication number (International publication number):2012124500
Application date: Dec. 28, 2011
Publication date: Jun. 28, 2012
Summary:
【課題】高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下地層10上に、自己組織化成長により量子ドット16を形成する工程と、量子ドット16を形成する工程の前又は量子ドット16を形成する工程の際に、下地層10の表面にSb又はGaSbを照射する工程と、量子ドット16の表面をAs原料ガスによりエッチングすることにより、量子ドット16の表面に析出したSbを含むInSb層18を除去する工程と、InSb層18が除去された量子ドット16上に、キャップ層22を成長する工程とを有している。【選択図】図2
Claim (excerpt):
下地層上に、自己組織化成長により量子ドットを形成する工程と、
前記量子ドットの表面に、有機Sb原料ガスを照射する工程と、
前記量子ドット上に、キャップ層を成長する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4):
H01L 21/205
, H01S 5/343
, C23C 16/30
, C23C 16/18
FI (4):
H01L21/205
, H01S5/343
, C23C16/30
, C23C16/18
F-Term (33):
4K030AA11
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA15
, 4K030BA25
, 4K030BA35
, 4K030BB01
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030DA09
, 4K030FA10
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB10
, 5F045AB13
, 5F045AB17
, 5F045AB40
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AD09
, 5F045AD11
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045DA53
, 5F045DA56
, 5F045EB15
, 5F173AF09
, 5F173AH29
, 5F173AP06
, 5F173AR81
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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低格子不整合系における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-322038
Applicant:独立行政法人情報通信研究機構
-
量子ドット発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-128269
Applicant:独立行政法人情報通信研究機構
-
量子箱集合素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-360263
Applicant:ソニー株式会社
-
量子半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-146177
Applicant:富士通株式会社
-
量子ドットの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-262638
Applicant:国立大学法人電気通信大学
-
単一光子発生装置および単一光子発生方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-043188
Applicant:富士通株式会社
-
アンチモン系量子ドットの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-273429
Applicant:独立行政法人情報通信研究機構
-
半導体膜の成長方法およびこの半導体膜を備えた半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-137815
Applicant:シャープ株式会社
-
量子ドットの作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-045342
Applicant:日本電気株式会社
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Cited by examiner (7)
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量子半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-146177
Applicant:富士通株式会社
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量子ドットの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-262638
Applicant:国立大学法人電気通信大学
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単一光子発生装置および単一光子発生方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-043188
Applicant:富士通株式会社
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