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J-GLOBAL ID:201203058689238822

半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 北野 好人 ,  三村 治彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011289138
Publication number (International publication number):2012124500
Application date: Dec. 28, 2011
Publication date: Jun. 28, 2012
Summary:
【課題】高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下地層10上に、自己組織化成長により量子ドット16を形成する工程と、量子ドット16を形成する工程の前又は量子ドット16を形成する工程の際に、下地層10の表面にSb又はGaSbを照射する工程と、量子ドット16の表面をAs原料ガスによりエッチングすることにより、量子ドット16の表面に析出したSbを含むInSb層18を除去する工程と、InSb層18が除去された量子ドット16上に、キャップ層22を成長する工程とを有している。【選択図】図2
Claim (excerpt):
下地層上に、自己組織化成長により量子ドットを形成する工程と、 前記量子ドットの表面に、有機Sb原料ガスを照射する工程と、 前記量子ドット上に、キャップ層を成長する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4):
H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/18
FI (4):
H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  C23C16/30 ,  C23C16/18
F-Term (33):
4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA15 ,  4K030BA25 ,  4K030BA35 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB13 ,  5F045AB17 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F045EB15 ,  5F173AF09 ,  5F173AH29 ,  5F173AP06 ,  5F173AR81
Patent cited by the Patent:
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