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J-GLOBAL ID：201203061002943050

薄膜磁石

Inventor： 長谷川 晴弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (3)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011103433
Publication number (International publication number)：2012235003
Application date： May. 06, 2011
Publication date： Nov. 29, 2012
Summary：

【課題】高い磁石性能、すなわち高い最大エネルギー積を実現できる薄膜磁石を提案する。【解決手段】高い最大エネルギー積の薄膜磁石を実現するため、高い磁気異方性エネルギーと高い飽和磁化を実現できる薄膜磁石の構成を提供する。このため、Fe又はFeCo膜の一方の面に、Ta、Nb、V、Cr、Ru、Cu、Agの群から選ばれた一つ以上の金属を直に形成する。また、Fe又はFeCo膜の他方の面には、希土類元素を含む強磁性体を直に形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、 該基板上に形成された第1の磁性膜と、第2の金属膜と、第3の磁性膜とから少なくとも構成され、 前記第1の磁性膜の一方の面は、前記第2の金属膜及び前記第3の磁性膜のうちの一方の膜と接し、第1の磁性膜の他方の面は、前記第2の金属膜及び前記第3の磁性膜のうちの他方の膜と接し、 前記第1の磁性膜は、Fe又はFeとCoの合金からなり、 前記第2の金属膜は、Ta、Nb、V、Cr、Ru、Cu、Agの群から選ばれた一つ以上の金属からなり、 前記第3の磁性膜は、希土類元素を含む強磁性体からなる ことを特徴とする薄膜磁石。

IPC (4)：

H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01F 1/04

FI (4)：

H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F1/04 Z

F-Term (9)：

5E040AA04 ,  5E040CA01 ,  5E040NN06 ,  5E049AA01 ,  5E049BA01 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12 ,  5E049GC02