Pat

J-GLOBAL ID：201203072980980385

薄膜形成装置

Inventor： 中村 有水 ,  中 良弘 ,  古澤 貢治 ,  古澤 秀樹
Applicant, Patent owner： 中村 有水
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011113547
Publication number (International publication number)：2012243988
Application date： May. 20, 2011
Publication date： Dec. 10, 2012
Summary：

【課題】均一性に優れた高品質な薄膜が形成可能な、酸化物薄膜原料を含んだ水溶液の霧化による薄膜形成用の量産装置を提供する。【解決手段】基板が成長室6の上側に固定して設置され、その下側に設置された貫通孔プレート4とそのさらに下側に設置された整流羽根5の両者が回転することにより、基板に対して均一にミスト7を供給することが可能となる。また、回転部分である貫通孔プレート4と整流羽根5の両者が一体で、これが固定されている基板2に対して回転する。これにより、両者を一体で製作するため部品数が少なくなり、かつ回転部分を一箇所のみにすることができるため、装置構造を簡略化することができる。また、基板回転を行わないため、基板加熱機構(ヒータ)1も簡略化できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板が上側に固定して設置され、その下側に設置された貫通孔プレートとそのさらに下側に設置された整流羽根の両者が回転する構造を備えたミストを用いた薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  H01L21/31 B

F-Term (13)：

5F045AA03 ,  5F045AB22 ,  5F045BB01 ,  5F045DP05 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC01 ,  5F045EE01 ,  5F045EF01 ,  5F045EF05 ,  5F045EK05 ,  5F045EM03 ,  5F045GB09