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J-GLOBAL ID：201203072997512717

シリカート溶液からの高純度SiO2の製造方法

Inventor： クリスティアン パンツ ,  マルクス ルーフ ,  ギド ティツ ,  フローリアン パウラート ,  ハルトヴィッヒ ラウレーダー ,  スヴェン ミュラー ,  ユルゲン ベーニッシュ ,  イェンス ペルツァー
Applicant, Patent owner： エボニック デグサ ゲーエムベーハー
Agent (7)： 久野 琢也 ,  矢野 敏雄 ,  高橋 佳大 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  篠 良一 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011529518
Publication number (International publication number)：2012504102
Application date： Sep. 28, 2009
Publication date： Feb. 16, 2012
Summary：

本発明は、シリカート溶液からの高純度SiO2の新規の製造方法、特殊な汚染物質プロファイルを有する新規の高純度SiO2並びにその使用に関する。

Claim (excerpt)：

以下の工程: a.酸性化剤又は酸性化剤及び水から構成され、pH値2未満、好ましくは1.5未満、特に好ましくは1未満、特にとりわけ好ましくは0.5未満を有する装入物の製造工程、 b.0.2〜2ポアズの粘度を有するシリカート溶液の準備工程、 c.工程b)からのシリカート溶液を工程a)からの装入物中に、この得られる沈殿懸濁物のpH値が常に2未満、好ましくは1.5未満、特に好ましくは1未満、特にとりわけ好ましくは0.5未満の値に維持されるように添加する工程、 d.この得られる二酸化ケイ素の分離及び洗浄工程、その際、この洗浄媒体が2未満、好ましくは1.5未満、特に好ましくは1未満、特にとりわけ好ましくは0.5未満のpH値を有する、 e.この得られる二酸化ケイ素の乾燥工程 を含む高純度二酸化ケイ素の製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/187

FI (1)：

C01B33/187

F-Term (16)：

4G072AA25 ,  4G072BB20 ,  4G072DD01 ,  4G072DD02 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH18 ,  4G072KK01 ,  4G072KK05 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072SS10 ,  4G072TT01 ,  4G072TT19 ,  4G072TT30 ,  4G072UU02