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J-GLOBAL ID：201203073050284474

光非相反素子製造方法及び光非相反素子

Inventor： 横井 秀樹
Applicant, Patent owner： 学校法人 芝浦工業大学
Agent (5)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦 ,  土屋 徹雄
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2008065331
Publication number (International publication number)：WO2010023738
Application date： Aug. 27, 2008
Publication date： Mar. 04, 2010
Summary：

ウェハボンディング処理を用いずに、Si導波層と磁気光学材料層とから構成される光非相反素子を製造することができる新たな技術を提供する。基板上に磁気光学材料層を成膜し、前記磁気光学材料層の上にSi層を成膜し、前記Si層に導波路を形成し、前記導波路を伝播する光に非相反な位相変化を生じさせることができるように、前記磁気光学材料層を磁化する。

Claim (excerpt)：

基板上に磁気光学材料層を成膜し、 前記磁気光学材料層の上にSi層を成膜し、 前記Si層に導波路を形成し、 前記導波路を伝播する光に非相反な位相変化を生じさせることができるように、前記磁気光学材料層を磁化する、光非相反素子製造方法。

IPC (3)：

G02B 27/28 ,  G02F 1/095 ,  G02B 6/12

FI (3)：

G02B27/28 A ,  G02F1/095 ,  G02B6/12 L

F-Term (31)：

2H079AA03 ,  2H079BA03 ,  2H079CA06 ,  2H079DA13 ,  2H079DA22 ,  2H079EA05 ,  2H079EB18 ,  2H147AB22 ,  2H147AC07 ,  2H147BA07 ,  2H147BB09 ,  2H147BE03 ,  2H147BE13 ,  2H147BE15 ,  2H147CA25 ,  2H147EA07B ,  2H147EA07C ,  2H147EA13A ,  2H147EA25B ,  2H147FA09 ,  2H147FA11 ,  2H147FC01 ,  2H147FD20 ,  2H147GA15 ,  2H147GA16 ,  2H199AA05 ,  2H199AA07 ,  2H199AA08 ,  2H199AA23 ,  2H199AA26 ,  2H199AA64