Pat

J-GLOBAL ID：201203074822371269

無電解めっきによる有機薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極の形成方法

Inventor： バロウズ,ジェレミー ,  カーター,ジュリアン ,  ホワイティング,グレゴリー ,  ホールズ,ジョナサン,ジェイムス,マイケル ,  ウェバー,カール
Applicant, Patent owner： ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド
Agent (7)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  田中 玲子 ,  片山 健一 ,  鈴木 守 ,  加藤 真司 ,  津田 理
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011546946
Publication number (International publication number)：2012516560
Application date： Jan. 27, 2010
Publication date： Jul. 19, 2012
Summary：

溶液処理法を用いてソース及びドレイン電極を基板上に被着させるステップと、溶液処理法を用いて仕事関数改変層をソース及びドレイン電極上に形成するステップと、溶液処理法を用いて有機半導体材料をソース及びドレイン電極の間のチャネル領域に被着させるステップとを含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

有機薄膜トランジスタの製造方法であって、 溶液処理法を用いてソース及びドレイン電極を基板上に被着させるステップと、 溶液処理法を用いて仕事関数改変層をソース及びドレイン電極上に形成するステップと、 溶液処理法を用いて有機半導体材料をソース及びドレイン電極の間のチャネル領域に被着させるステップと を含む方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28

FI (9)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616U ,  H01L21/288 E ,  H01L21/288 M ,  H01L21/28 301B

F-Term (41)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD62 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG13 ,  4M104HH15 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 半導体装置の電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-144030   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平1-243528
  
• 電子装置の製造方法、巻き取り製造工程、薄膜トランジスタ及び塗布装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-297445   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 有機薄膜トランジスタ、有機TFT装置およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-306861   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-202687   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-305629   Applicant：日本特殊陶業株式会社
• めっき装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-342611   Applicant：株式会社荏原製作所
• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-003189   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 分子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-336439   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-020366   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社, 国立大学法人東京農工大学