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J-GLOBAL ID：201203077321761147

固体メモリ

Inventor： 富永 淳二 ,  コロボフ アレキサンダー ,  フォンス ポール ,  新谷 俊通 ,  小高 貴浩 ,  森川 貴博
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011042995
Publication number (International publication number)：2012182242
Application date： Feb. 28, 2011
Publication date： Sep. 20, 2012
Summary：

【課題】固体メモリの記録層として、これまで広く用いられているGe-Sb-Te系合金に代わって、希少金属であるSbフリーでありながら、Ge-Sb-Te系合金を用いた固体メモリと遜色のない性能を有する固体メモリを提供する。【解決手段】固体メモリ10は、物質の相変化に起因して電気特性が変化する記録層11を備えた固体メモリであって、記録層11が、ゲルマニウムとテルル4とから形成されている薄膜、および、銅とテルルとから形成されている薄膜5が積層されてなる超格子によって構成されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

物質の相変化に起因して電気特性が変化する記録層を備えた固体メモリであって、 前記記録層が、ゲルマニウムとテルルとから形成されている薄膜、および、銅とテルルとから形成されている薄膜が積層されてなる超格子によって構成されていることを特徴とする固体メモリ。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (10)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA15