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J-GLOBAL ID：201203081340617828

非常に薄い半導体領域を有する光検出器

Inventor： レペルシェ,ジェローム ,  デジーレ,ヨハン
Applicant, Patent owner： コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ
Agent (2)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011542868
Publication number (International publication number)：2012514322
Application date： Dec. 14, 2009
Publication date： Jun. 21, 2012
Summary：

【解決手段】本発明は、反射層(31)の少なくとも一部に直接形成され、光ビーム(35)によって照射される半導体層(33)の少なくとも一部を備えた光検出器に関しており、少なくとも1つのパッド(37)が、反射層の一部の反対側の半導体層の一部に形成されており、パッド及び反射層の一部は、金属か、又は負の誘電率を有する材料から形成されており、反射層の少なくとも一部と少なくとも1つのパッドとの間に形成された光共振器の厚さが、半導体層の光学指数に対する光ビームの波長の比率の4分の1より完全に小さく、一般的には比率の約10分の1である。

Claim (excerpt)：

反射層(31,47) の少なくとも一部に直接形成され、光ビーム(35,41) によって照射されるべき半導体層(33,39) の少なくとも一部を備えた光検出器であって、 少なくとも1つのパッド(37,43,45)が、前記反射層の前記一部の反対側の前記半導体層(33,39) の前記一部に形成されており、 前記パッド及び前記反射層の前記一部は、金属か、又は負の誘電率を有する材料から形成されており、 前記反射層の前記少なくとも一部と前記少なくとも1つのパッドとの間に形成された光共振器の厚さが、前記半導体層の光学指数に対する光ビームの波長の比率の4分の1より完全に小さく、一般的には前記比率の約10分の1であり、 前記半導体層(33)は、厚さが一定の層であることを特徴とする光検出器。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (5)：

5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB01 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• フォトダイオードとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-099074   Applicant：日本電気株式会社
• 金属電極格子からなるミラーを備えた共鳴キャビティが設けられているMSMタイプの光検出器
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-523876   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
• 光電変換方法および光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-067454   Applicant：工業技術院長
• 垂直型金属半導体マイクロ共振器による光検出装置およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-552450   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• HIGH-EFFICIENCY AND HIGH-SPEED SILICON METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTORS 以下備考