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J-GLOBAL ID：201203081590824489

成膜方法、半導体装置及びその製造方法、並びに基板処理装置

Inventor： 三好 秀典 ,  東雲 秀司
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (2)： 渡邊 和浩 ,  星宮 勝美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010203923
Publication number (International publication number)：2012060042
Application date： Sep. 13, 2010
Publication date： Mar. 22, 2012
Summary：

【課題】真空装置を使用せずに、トランジスタ等の半導体装置に適用できるMOS構造の積層膜を形成する。【解決手段】成膜方法は、半導体膜3を有する基板に、ポリシラン溶液を塗布し、半導体膜3上にポリシラン膜5を形成する工程(STEP1)と、ポリシラン膜5上に、金属塩溶液を塗布し、金属イオン含有膜7を形成することにより、ポリシラン膜5をポリシロキサン膜5Aへ、金属イオン含有膜7を金属微粒子含有膜7Aへ、それぞれ改質する工程(STEP2)を備え、MOS構造の積層膜100を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜状または基板状の半導体材料層上に設けられたゲート絶縁膜としての酸化物膜と、該酸化物膜上に設けられたゲート電極としての導体膜と、を有するMOS構造の積層膜を形成する成膜方法であって、 前記半導体材料層が表面に露出した基板にポリシラン溶液を塗布し、前記半導体材料層上にポリシラン膜を形成する工程と、 前記ポリシラン膜上に、金属塩溶液を塗布して金属イオン含有膜を形成することにより、前記ポリシラン膜をポリシロキサン膜へ、前記金属イオン含有膜を金属微粒子含有膜へ、それぞれ改質してMOS構造の積層膜を形成する工程と、 を備えた成膜方法。

IPC (9)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/320 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (12)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 G ,  H01L21/288 ,  H01L21/283 B ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/28 390

F-Term (78)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104DD63 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ52 ,  5F033QQ72 ,  5F033RR01 ,  5F033SS00 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F058BC02 ,  5F058BF40 ,  5F058BF46 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HL02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ01 ,  5F140AA40 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA10 ,  5F140BD05 ,  5F140BE05 ,  5F140BE17 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG27 ,  5F140BG36 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140CC03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 金属層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-292415   Applicant：信越化学工業株式会社
• 特開平3-225821
  
• 透明導電性基板、色素増感型太陽電池用透明導電性基板及び透明導電性基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-027696   Applicant：フジコピアン株式会社
• 基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-307226   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 金属パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-311215   Applicant：信越化学工業株式会社
• 回路基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-094111   Applicant：信越化学工業株式会社