Pat

J-GLOBAL ID：201203086299297260

半導体素子評価装置および半導体素子評価方法

Inventor： 黄 俐昭 ,  飯塚 貴弘
Applicant, Patent owner： ルネサスエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011012290
Publication number (International publication number)：2012154695
Application date： Jan. 24, 2011
Publication date： Aug. 16, 2012
Summary：

【課題】自己発熱により電気的特性が変化しうる半導体素子の自己発熱のない状態における電気的特性を正確に決定する。【解決手段】半導体素子に電圧の印加を開始してから半導体素子を流れる電流値が定常状態に至るまでの期間に含まれる複数の時刻において電流値を測定する電流測定部と、前記期間を第1の期間と第1の期間よりも後の第2の期間に分割した場合において、第2の期間に含まれる時刻において測定された電流値の時間変化を近似的に表す曲線を求めたときに、第1の期間に含まれる時刻において測定された電流値と該曲線を該時刻に外挿して求めた電流値との差が所定の閾値以上となるように前記期間を分割する期間分割部と、第1の期間に含まれる時刻において測定された電流値を近似的に表す曲線を求め、該曲線を外挿して前記開始時刻に半導体素子を流れる電流値を推定する電流推定部と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子に電流を流すための電圧の印加を開始してから該半導体素子を流れる電流値が定常状態に至るまでの期間に含まれる複数の時刻において、該半導体素子を流れる電流値を測定する電流測定部と、 前記期間を第1の期間と該第1の期間よりも後の第2の期間に分割した場合において、該第2の期間に含まれる時刻において測定された電流値の時間変化を近似的に表す曲線を求めたときに、該第1の期間に含まれる時刻において測定された電流値と該曲線を該時刻に外挿して求めた電流値との差が所定の閾値以上となるように前記期間を分割する期間分割部と、 前記第1の期間に含まれる時刻において測定された電流値を近似的に表す曲線を求め、該曲線を外挿して前記開始時刻に前記半導体素子を流れる電流値を推定する電流推定部と、を備えていることを特徴とする半導体素子評価装置。

IPC (2)：

G01R 31/26 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01R31/26 B ,  G01R31/26 A ,  H01L21/66 Z

F-Term (16)：

2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AA07 ,  2G003AA10 ,  2G003AB01 ,  2G003AB15 ,  2G003AE06 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA04 ,  4M106BA01 ,  4M106CA04 ,  4M106CA31 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20