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J-GLOBAL ID：201203090271170858

ショットキー型接合素子とこれを用いた光電変換素子及び太陽電池

Inventor： 松木 伸行 ,  色川 芳宏 ,  伊高 健治 ,  鯉沼 秀臣 ,  角谷 正友
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Agent (2)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2010055574
Publication number (International publication number)：WO2010110475
Application date： Mar. 29, 2010
Publication date： Sep. 30, 2010
Summary：

無機半導体(3)と有機導電体(4)とが接合されてショットキー接合を有するショットキー型接合素子(1)である。無機半導体(3)が、窒化物半導体、Si、GaAs、CdS、CdTe、CuInGaSe、InSb、PbTe、PbS、Ge、InN、GaSb、SiCの何れかである。太陽電池がこのショットキー型接合素子(1)を用い、光電変換部がショットキー接合を含んで構成されている。光電変換素子がこのショットキー型接合素子(1)を用い、光と電気を相互に変換する変換部がショットキー接合を含んで構成されている。

Claim (excerpt)：

無機半導体と有機導電体とが接合されてショットキー接合を有するショットキー型接合素子であって、 上記無機半導体が、窒化物半導体、Si、GaAs、CdS、CdTe、CuInGaSe、InSb、PbTe、PbS、Ge、InN、GaSb、SiCの何れかである、ショットキー型接合素子。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/108

FI (4)：

H01L31/04 E ,  H01L31/04 L ,  H01L31/04 N ,  H01L31/10 C

F-Term (19)：

5F049MA05 ,  5F049MB02 ,  5F049MB07 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE06 ,  5F049SS01 ,  5F049WA01 ,  5F049WA05 ,  5F151AA01 ,  5F151AA08 ,  5F151AA09 ,  5F151AA10 ,  5F151DA05 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA07 ,  5F151FA18 ,  5F151GA03