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J-GLOBAL ID：201203094309004901

半導体素子および電子機器

Inventor：
小野 秀樹

About 小野 秀樹


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (4)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011112316
Publication number (International publication number)：2012243936
Application date： May. 19, 2011
Publication date： Dec. 10, 2012
Summary：
【課題】有機半導体層の上面の層の形状不良を抑えることが可能な半導体素子およびこれを備えた電子機器を提供する。【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
有機半導体層と、前記有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、 前記層の外形線は、前記有機半導体層の外形線よりも内側にある 半導体素子。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28
FI (7)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B
F-Term (76)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF16 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104GG09 ,  4M104HH13 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HM02 ,  5F110HM05 ,  5F110QQ03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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