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J-GLOBAL ID：201203097512567503

半導体ウエハおよび半導体装置

Inventor： 三浦 広平 ,  猪口 康博 ,  稲田 博史
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (2)： 特許業務法人ハートクラスタ ,  渡辺 征一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010146614
Publication number (International publication number)：2012009777
Application date： Jun. 28, 2010
Publication date： Jan. 12, 2012
Summary：

【課題】本発明は、GaSb基板上に形成された、表面性状の良好なMQWを有する半導体ウエハ、および半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置10は、GaSb基板1の上に、(InAs/GaSb)が繰り返し積層されたMQW3を有し、GaSb基板の面方位が(100)であり、かつ(111)A方向に0.1°以上10°以下のオフ角がついていることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

GaSb基板の上に、(InAs/GaSb)が繰り返し積層された多重量子井戸構造を有する半導体ウエハであって、 前記GaSb基板の面方位が(100)であり、かつ(111)A方向に0.1°以上10°以下のオフ角がついていることを特徴とする、半導体ウエハ。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (15)：

5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049NB07 ,  5F049NB10 ,  5F049PA03 ,  5F049PA04 ,  5F049QA02 ,  5F049QA16 ,  5F049QA18 ,  5F049RA02 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01