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J-GLOBAL ID：201203099387528790
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010204412
Publication number (International publication number)：2012060063
Application date： Sep. 13, 2010
Publication date： Mar. 22, 2012
Summary：
【課題】高誘電体膜をゲート絶縁膜とし、ゲート電極の平坦性が高いトレンチゲート形半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の実施形態の半導体装置は、第1導電形の半導体層1と、第1導電形の第1の半導体層2と、第2導電形の第2の半導体層3とを備える。アルミニウム及びイットリウムの少なくともいずれかを含んだ酸化膜5が、前記第2の半導体層3を貫通して前記第1の半導体層2の内部に達するトレンチの側壁に露出した前記第2の半導体層3上を被覆する。保護層6が、前記第2の半導体層3に対向して前記酸化膜5上に形成される。ゲート絶縁膜7は、前記酸化膜5と前記保護層6により構成される。n形ポリシリコンにより構成されるゲート電極8が、前記ゲート絶縁膜7と直接接合して前記トレンチ内に埋め込まれる。前記ゲート絶縁膜7と接した第1導電形の第3の半導体層10が、前記第2半導体層3の表面に選択的に配置される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1導電形の半導体層と、
前記第1導電形の半導体層の第1の表面に設けられ前記第1導電形の半導体層よりも第1導電形不純物濃度が低い第1導電形の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に設けられた第2導電形の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層から前記第1の半導体層にかけて設けられたトレンチと、
前記トレンチの側壁に露出した前記第2の半導体層上を被覆する、アルミニウム及びイットリウムの少なくともいずれかを含んだ酸化膜及び、前記酸化膜上に形成され前記トレンチ内で前記酸化膜を介して前記第2半導体層に対向する保護層で構成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜と直接接合して前記トレンチ内に前記ゲート絶縁膜を介して前記第2の半導体層と対向して埋め込まれたn形ポリシリコンにより構成されるゲート電極と、
前記ゲート電極の上に設けられ、前記ゲート電極を前記トレンチ外部と絶縁する層間絶縁膜と、
前記第2半導体層の表面に選択的に形成され、前記トレンチ側壁で前記ゲート絶縁膜と接し前記第1の半導体層よりも第1導電形不純物濃度が高い第1導電形の第3の半導体層と、
前記半導体層の第1の表面とは反対側の第2の表面に電気的に接続された第1の電極と、
前記第3の半導体層と前記第2の半導体層とに電気的に接続された第2の電極と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1)：
FI (2)：
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653A
