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J-GLOBAL ID:201204011093655040  Research Project code:5124 Update date:Oct. 07, 2013

超臨界流体を用いた熱CVDによる高アスペクト比ホールの埋め込み技術の開発

Study period:2007 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
超臨界流体を利用し、高アスペクト比を要するホールの穴埋め技術の開発であり、半導体材料に関する研究である。半導体の高集積化において、三次元の高アスペクト比の凸凹上への配線、絶縁体あるいはその他半導体材料を凸凹上に均一に成膜する技術の開発が要求されている。そこで、本研究では超臨界流体を用いた熱CVD装置を試作し、次世代半導体に要求される高アスペクト比でナノスケールの穴埋めや均一成膜の達成を目的とする。
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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