Proj
J-GLOBAL ID:201204013000481245  Research Project code:10775 Update date:Oct. 07, 2013

Co 基ホイスラー合金を用いた高品位トンネル接合の作製と高周波発振の実証研究

Study period:2009 - 2012
Organization (2):
Investigating Researcher (2):
Research overview:
本研究交流は、ホイスラー合金の有する大きなスピン分極率と低ダンピングという優れた特性を最大限に引き出し、スピン注入磁化反転の低電流化や、これまでにない高出力、高効率などの性能を有する高周波発振素子の実現を目指す。具体的には、日本側は高品位単結晶ホイスラー合金薄膜の成長と微小素子の作製を分担し、英国側は多結晶ホイスラー合金薄膜と交換バイアスを付与したホイスラー合金薄膜を作製、および、高度な構造と磁気特性の評価を分担する。両国の研究チームが相互補完的に取り組むことで、不揮発固体磁気メモリ(MRAM)開発のブレークスルー、マイクロ波を利用する技術分野において新しい応用を拓くことが期待される。
Research program: 戦略的国際科学技術協力推進事業
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

Return to Previous Page