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J-GLOBAL ID:201204015351122945  Research Project code:9500 Update date:Oct. 07, 2013

ポリイミドナノ粒子を用いた次世代低誘電率層間絶縁膜の開発

Study period:2007 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
近年、大規模集積回路(LSI)の高密度化は目覚ましく、配線微細化に伴う信号遅延という新たな問題のため、誘電率(k)の低い層間絶縁膜が必要となってくる。膜への空孔導入は低誘電率化の非常に有効な手段であり、現在使用されているSiOC(k=2.8)で、ある程度は対応可能だが、機械的強度の著しい低下が懸念される。そのため、2013 年に要求されるk<2 の絶縁膜の具体的な材料については未だ決定されていない。そこで、本課題ではポリマーの中でも最高レベルの高耐熱性、高強度、高粘弾性を有するポリイミド(PI)を用いて、
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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