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J-GLOBAL ID:201204023149199556  Research Project code:8855 Update date:Oct. 07, 2013

ワイドギャップ酸化物半導体薄膜作製技術の開発と応用

Study period:2008 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
ワイドギャップ半導体は、シリコンに比べて低損失、耐電圧、高温動作に優れたデバイスを実現できる材料として期待されている。本研究では、窒化ガリウム上に格子不整合が小さく、ワイドギャップの酸化物半導体薄膜を作製する技術の開発を進め、酸化物/窒化物半導体ヘテロ構造を用いたパワーデバイスの開発を目的とする。
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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