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J-GLOBAL ID:201204038551465561  Research Project code:5120 Update date:Oct. 07, 2013

三極型高周波プラズマCVD法による32nm 世代LSI用カーボンナノチューブ配線の作製技術の開発

Study period:2007 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
2010年に実用化が予定されている32nm世代の大規模集積回路(LSI)では,配線材料として カーボンナノチューブ(CNT)の使用が提案されている.本研究では,代表研究者が開発した三極型高周波プラズマCVD法を用いて,大面積のSiウエハー(300mm)上の配線部分に,400°C台で,CNTを作製する技術を開発する.その結果,32nm世代のLSI開発に必要なCNT配線の作製技術を確立する.
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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