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J-GLOBAL ID:201204055806766074  Research Project code:7251 Update date:Oct. 07, 2013

半導体中の遷移金属不純物の除去方法開発

Study period:2007 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
半導体デバイスプロセスでは、プロセス中に混入する遷移金属不純物がデバイスの特性を劣化させる。この問題を解決する方法の一つとして、デバイス領域から十分離れた領域に適当なドーパント原子を入れ、このドーパント原子に遷移金属不純物を吸い取らせるゲッタリング法が取られている。デバイススケールが小さくなるにつれ、このゲッタリング収率に対する要求がより厳しいものとなっている。本研究では、より高いゲッタリング収率をもつ不純物原子の組み合わせを理論的に予測し、実験的にその効果を検証することによって新しいゲッタリング法を開発するものである。
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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