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J-GLOBAL ID:201204059409427315  Research Project code:5422 Update date:Oct. 07, 2013

超臨界二酸化炭素を用いた溶体噴霧法による有機半導体薄膜創製技術の開発

Study period:2007 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
本技術は,超臨界二酸化炭素に有機半導体原料を溶解させた溶体を,微細ノズルを通して基板に噴霧し基板上で結晶粒を薄膜成長させることにより有機半導体薄膜を創製するものである.高分子を始めとするあらゆる基板に対して簡単に高品質の有機薄膜を創製することができ,かつ環境調和型・省エネルギー型技術である.本課題では,試験レベルがほぼ終了した本技術の電子産業分野での実用展開を目指して,「技術の汎用性の強化」と「薄膜の自由設計の実現」を目標とする.
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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