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J-GLOBAL ID:201204060884427743  Research Project code:5997 Update date:Oct. 07, 2013

窒化物半導体膜の高感度定量分析装置の開発

Study period:2009 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
次世代のGaN系高周波デバイスを実用化するには、デバイス特性を大きく左右するGaNエピウェハの欠陥準位密度低減による高品質化が最重要課題となる。本研究では、GaNウェハ中に存在する電気的に活性な欠陥準位を幅広いエネルギー範囲全域(0.6~4.0eV)で検出し、膜厚深さ方向分布も計測できる高分解能分析装置を開発する。さらに、計測した欠陥情報を成膜プロセスにフィードバックし、高品質GaNウェハの成膜技術の開発に繋げる。
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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