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J-GLOBAL ID:201204083053180997  Research Project code:4191 Update date:Oct. 07, 2013

オゾンを用いたレジスト剥離に関する研究開発

Study period:2001 - 2005
Organization (3):
Investigating Researcher (3):
Research overview:
半導体の製造工程で、回路形成を行うためシリコン基板に感光性樹脂を塗り、微細パターンを露光し、不要部分の樹脂を溶剤で溶かしパターンを形成します。今回の方式は、オゾンガスで樹脂を溶解・除去するもので、高価で有害な溶剤を使わないため環境負荷が低減でき、コスト削減の見通しを得て、産業技術研究助成事業(NEDO)に繋ぎました。
Research program: 地域研究開発促進拠点支援(RSP)事業
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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