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J-GLOBAL ID：201204083053180997 Research Project code：4191 Update date：Oct. 07, 2013

オゾンを用いたレジスト剥離に関する研究開発

Study period：2001 - 2005
Organization (3)： , ,
Investigating Researcher (3)： , ,
Research overview：

半導体の製造工程で、回路形成を行うためシリコン基板に感光性樹脂を塗り、微細パターンを露光し、不要部分の樹脂を溶剤で溶かしパターンを形成します。今回の方式は、オゾンガスで樹脂を溶解・除去するもので、高価で有害な溶剤を使わないため環境負荷が低減でき、コスト削減の見通しを得て、産業技術研究助成事業(NEDO)に繋ぎました。

Research program：地域研究開発促進拠点支援(RSP)事業
Ministry with control over the research ：

文部科学省

Organization with control over the research：

独立行政法人科学技術振興機構

Parent Research Project (1)：

研究成果育成型高知県

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