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J-GLOBAL ID:201204083053180997
Research Project code:4191
Update date:Oct. 07, 2013
オゾンを用いたレジスト剥離に関する研究開発
Study period:2001 - 2005
Organization (3):
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Investigating Researcher (3):
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Research overview:
半導体の製造工程で、回路形成を行うためシリコン基板に感光性樹脂を塗り、微細パターンを露光し、不要部分の樹脂を溶剤で溶かしパターンを形成します。今回の方式は、オゾンガスで樹脂を溶解・除去するもので、高価で有害な溶剤を使わないため環境負荷が低減でき、コスト削減の見通しを得て、産業技術研究助成事業(NEDO)に繋ぎました。
Research program:
地域研究開発促進拠点支援(RSP)事業
Ministry with control over the research :
Organization with control over the research:
Parent Research Project (1):
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