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J-GLOBAL ID:201204088120593225  Research Project code:5529 Update date:Oct. 07, 2013

次世代半導体へのイオン注入用パルス重イオンビーム発生技術の開発

Study period:2007 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
次世代半導体材料である炭化ケイ素への新しいイオン注入技術を確立するためには高純度・大電流パルス重イオンビーム発生技術の開発が不可欠である。本課題では、ガスプラズマガンを用いたパルス重イオンビーム発生技術と開発したパルス電力技術を融合させることによって、高純度のイオンビーム発生を目標とし、炭化ケイ素デバイスの実用化に向けて、新しい高純度・大電流パルス重イオンビーム発生技術の開発を行うものである。
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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