Proj
J-GLOBAL ID:201204098288363549  Research Project code:7244 Update date:Oct. 07, 2013

酸化物ナノワイヤ構造を用いた不揮発性メモリ素子の開発

Study period:2007 - 継続中
Organization (1):
Investigating Researcher (1):
Research overview:
ボトムアップ的に作製されるナノ領域10nm以下の酸化物ナノワイヤをテンプレートとした新規ナノへテロ構造を高温プロセスで作製し、作製されたヘテロナノワイヤをシリコン基板上の電極間に低温プロセスでポジショニングすることにより、従来のリソグラフィー微細化限界を遥かに凌駕したナノ領域10nm以下での高集積化が可能となる遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリ素子を実現する。
Research program: シーズ発掘試験
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

Return to Previous Page