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J-GLOBAL ID:201204098585225260  Research Project code:10988 Update date:Oct. 07, 2013

鉄系超伝導体デバイスの物理的・工学的基盤の構築

Study period:2011 - 2014
Organization (2):
Investigating Researcher (2):
Research overview:
本研究の目的は、鉄系超伝導体の高品位薄膜という成果に基づき、デバイス応用に向けた物理的・技術的基盤を構築することである。日本側は主にMBE法、EU側は主にPLD法で鉄系薄膜作成を行う。試料の評価、基礎物性測定、接合作製などにおいても日本とEUの各グループが強みを持つ独自手法を網羅的に適用する。双方の研究チームが相互補完的に取り組むことにより、ギャップや対称性など重要な物理量解明が加速され、鉄系超伝導体のデバイス応用が飛躍的に進展することが期待される。
Research program: 国際科学技術共同研究推進事業(戦略的国際共同研究プログラム)
Ministry with control over the research :
文部科学省
Organization with control over the research:
独立行政法人科学技術振興機構
Parent Research Project (1):

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