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J-GLOBAL ID：201302200762569624   Reference number：13A1721040

格子不整合を低減させたBiFeO₃薄膜の圧電特性

Author (5)： WAKAZONO KEISUKE (大阪府大 工) ,  UJIMOTO KATSUYA (大阪府大 工) ,  YOSHIMURA TAKESHI (大阪府大 工) ,  ARAMAKI MASAAKI (大阪府大 工) ,  FUJIMURA NORIFUMI (大阪府大 工)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 74th  Page： ROMBUNNO.18A-P1-8  Publication year： Aug. 31, 2013 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： lattice mismatch ,  *dielectric thin film ,  bismuth compound ,  iron compound ,  oxide ,  *domain structure ,  *laser deposition ,  strain ,  *pulsed laser deposition ,  piezoelectric constant ,  *ferroelectric thin film
Semi thesaurus term： piezoelectric property

JST classification (1)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Terms in the title (4)： 格子不整合 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  圧電特性