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J-GLOBAL ID：201302208212617088   Reference number：13A0649075

New Development of Electronic Processes in Hydrogenated Amorphous Silicon

アモルファス水素化シリコンの電子過程の新しい展開

Author (1)： MURAYAMA KAZURO (日本大 文理)
Material： 日本大学文理学部自然科学研究所研究紀要  (Proceedings of the Institute of Natural Sciences, Nihon University)
Issue： 48  Page： 209-229  Publication year： Mar. 18, 2013 
JST Material Number： S0033A  ISSN： 0369-3562  CODEN： NDBSAL  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,  *amorphous silicon ,  *photoconductivity ,  *photoluminescence ,  excitation spectrum ,  optical transmission ,  *band gap ,  carrier recombination ,  temperature dependence ,  optical absorption spectrum ,  carrier mobility ,  *emission center ,  nanostructure ,  hopping conduction ,  localized state ,  attenuation ,  hydride ,  *hydrogenated amorphous silicon
Semi thesaurus term： バンドテイル局在状態 ,  移動度ギヤップ ,  emission decay

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： アモルファス水素化シリコン ,  電子 ,  過程 ,  展開