Art

J-GLOBAL ID：201302208837123300   Reference number：13A0794594

Heteroepitaxial Growth and Power Electronics using AlGaN/GaN HEMT on Si

Si上のAlGaN/GaN-HEMT利用によるヘテロエピタクシー成長とパワーエレクトロニクス

Author (1)： EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2012  Page： 613-616  Publication year： 2012 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *heteroepitaxy ,  *power electronics ,  silicon ,  substrate (plate) ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  gallium nitride ,  *HEMT ,  laminating molding ,  device structure ,  dielectric strength ,  aluminum gallium nitride ,  interlayer

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： Si ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ヘテロエピタクシー ,  成長 ,  パワーエレクトロニクス