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J-GLOBAL ID：201302211637135401   Reference number：13A0853623

反応性スパッタリング法によるAl₂O₃:H薄膜の作製と評価

Author (3)： ITO HIROSHI (東京工高専) ,  KAWAMATA YOSHIO (芝浦メカトロニクス) ,  OYAMA MASANORI (共立)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.29A-A4-5  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film growth ,  reactive sputtering ,  *Aluminum Oxide ,  carrier recombination ,  *carrier lifetime ,  surface recombination

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (5)： 反応性スパッタリング ,  Al2O3 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価