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J-GLOBAL ID：201302213976930590   Reference number：13A0787373

Structure and Characteristics of Pentacene Field-Effect Transistors with Carrier Generation Layer

キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価

Author (6)： USUBA SHUN (新潟大) ,  BABA AKIRA (新潟大) ,  SHIMBO KAZUNARI (新潟大) ,  KATO KEIZO (新潟大) ,  KANEKO FUTAO (新潟大) ,  MINAGAWA MASAHIRO (長岡工高専)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 112  Issue： 469(OME2012 105-113)  Page： 9-12  Publication year： Mar. 01, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *vanadium oxide ,  *FET ,  *organic semiconductor ,  *carrier generation ,  drain(semiconductor) ,  electric current ,  codeposition ,  amplifier ,  charge transfer complex ,  *polymer thin film ,  surface quality ,  optical absorption spectrum ,  atomic force microscope ,  carrier mobility ,  film thickness ,  *current-voltage characteristic ,  polyacene
Semi thesaurus term： vanadium pentaoxide ,  drain current ,  current amplifier

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Pentacene

Terms in the title (4)： キャリア発生 ,  ペンタセン ,  電界効果トランジスタ ,  特性評価