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J-GLOBAL ID：201302216093860389   Reference number：13A1443827

A 4.5MGy TID-Tolerant CMOS Bandgap Reference Circuit Using a Dynamic Base Leakage Compensation Technique

動的ベース漏れ電流補償技術を用いた4.5MGy全電離線量耐性CMOSバンドギャップ基準回路

Author (6)： CAO Ying (KU Leuven, Heverlee, BEL) ,  CAO Ying (SCK-CEN, Mol, BEL) ,  DE COCK Wouter (SCK-CEN, Mol, BEL) ,  STEYAERT Michiel (KU Leuven, Heverlee, BEL) ,  LEROUX Paul (KU Leuven, Heverlee, BEL) ,  LEROUX Paul (Katholieke Hogeschool Kempen, Geel, BEL)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 60  Issue： 4,Pt.1  Page： 2819-2824  Publication year： Aug. 2013 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： leakage current ,  radiation dose ,  *radiation resistance(radiation effect) ,  band gap ,  *CMOS structure ,  *voltage ,  *reference signal ,  voltage generation ,  voltage fluctuation ,  circuit design ,  current compensation ,  temperature dependence ,  electric circuit
Semi thesaurus term： gate leakage current ,  *bandgap reference ,  reference voltage ,  output voltage ,  全電離線量 ,  radiation hardened by design ,  reference circuits

JST classification (1)： Power source circuit  (NC05060Q)

Terms in the title (7)： 電流補償 ,  全電離 ,  線量 ,  耐性 ,  CMOS ,  バンドギャップ ,  基準回路