Art

J-GLOBAL ID：201302216177416409   Reference number：13A1418964

Evaluation of the Initial Stage of Formation of Ti/Al Ohmic Contacts Using Photoresponse Method

光応答法を用いたTi/Al Ohm接触の形成の初期段階の評価

Author (4)： SHIOJIMA Kenji (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  YOKOHAMA Hideo (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  YOKOHAMA Hideo (Optorans, Kawasaki, JPN) ,  ARAKI Gako (Optorans, Kawasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 8,Issue 2  Page： 08JN06.1-08JN06.4  Publication year： Aug. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ohmic contact ,  *titanium ,  *aluminum ,  gallium nitride ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  response ,  secondary ion mass spectrometry ,  *current-voltage characteristic ,  *photocurrent ,  *Schottky barrier ,  annealing(heat treatment)
Semi thesaurus term： aluminium gallium nitride ,  optical response ,  *Schottky barrier height ,  annealing (heat treatment)

JST classification (4)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Metallic thin films  (BK14030T) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Reference (28)：

• F. M. Mohammed, L. Wang, H. J. Koo, and I. Adesida: J. Appl. Phys. 101 (2007) 033708.
• M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1003.
• Y. F. Wu, W. N. Jiang, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, U. K. Mishra, and B. Wilson: Solid-State Electron. 41 (1997) 165.
• S. Miller and P. Holloway: J. Electron. Mater. 25 (1996) 1709.
• L. F. Lester, J. M. Brown, J. C. Ramer, L. Zang, S. D. Hersee, and J. C. Zolper: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2737.

Terms in the title (6)： 光応答 ,  Ti ,  Al ,  Ohm接触 ,  初期段階 ,  評価