Art

J-GLOBAL ID：201302216659063988   Reference number：13A0215426

Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method

イオン注入方法による高Ge組成を持つ薄い歪み緩和SiGeバッファ層の作製

Author (9)： SHIRAKI Y ,  NAKAGAWA K ,  USAMI N ,  YAMADA A ,  OGAWA Y ,  SATO Y ,  HIRAOKA Y ,  SAWANO K ,  HOSHI Y
Material： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Volume： 311  Issue： 3  Page： 825-828  Publication year： 2009 
JST Material Number： O2133A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Other (ZZZ)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： イオン注入 ,  Ge ,  組成 ,  歪み緩和 ,  SiGe ,  バッファ層 ,  作製