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J-GLOBAL ID：201302221073202362   Reference number：13A1560783

Effects of local structure on optical properties in green-yellow InGaN/GaN quantum wells

緑-黄色InGaN/GaN量子井戸の光学的性質に及ぼす局所構造の影響

Author (4)： HWANG Jongil (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  HASHIMOTO Rei (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  SAITO Shinji (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  NUNOUE Shinya (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 8625  Page： 86251G.1-86251G.6  Publication year： 2013 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,  indium compound ,  *compound semiconductor ,  semiconductor material ,  *multiple quantum well ,  *photoluminescence ,  radiant intensity ,  decay time ,  electric field ,  emission spectrum
Semi thesaurus term： local structure ,  interlayer ,  internal electric field

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： 緑 ,  黄色 ,  InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  光学的性質 ,  局所構造