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J-GLOBAL ID：201302227454842021   Reference number：13A1041715

Epitaxial Layers of AlGaN Channel HEMTs on AlN Substrates

AlN基板上のAlGaNチャネルHEMTのエピタキシャル層

Author (6)： HASHIMOTO Shin (SUMITOMO ELECTRIC IND., LTD.) ,  AKITA Katsushi (SUMITOMO ELECTRIC IND., LTD.) ,  TANABE Tatsuya (SUMITOMO ELECTRIC IND., LTD.) ,  NAKAHATA Hideaki (SUMITOMO ELECTRIC IND., LTD.) ,  TAKEDA Kenichiro (Meijo Univ.) ,  AMANO Hiroshi (Nagoya Univ.)
Material： SEI Technical Review  (SEI Tech Rev)
Issue： 71  Page： 83-87  Publication year： Oct. 2010 
JST Material Number： S0886A  ISSN： 1343-4349  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  *HEMT ,  layer ,  threading dislocation ,  two dimensional electron gas ,  dislocation density ,  epitaxial layer ,  sapphire substrate ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： AlGaN ,  *AlN ,  high electron mobility transistor

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： AlN ,  AlGaN ,  チャネル ,  HEMT ,  エピタキシャル層